Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
TSM1N45DCS RLG
Product Overview
Producător:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Cod de parte:
TSM1N45DCS RLG-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 450V 500MA 8SOP
Descriere detaliată:
N-Channel 450 V 500mA (Tc) 900mW (Ta) Surface Mount 8-SOP
Inventar:
RFQ Online
12893889
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TSM1N45DCS RLG Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Taiwan Semiconductor
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
450 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
500mA (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4.25Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 250mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
6.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±50V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
185 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
900mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOP
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Informații suplimentare
Alte nume
TSM1N45DCS RLGCT
TSM1N45DCS RLGDKR
TSM1N45DCSRLGTR
TSM1N45DCSRLGDKR
TSM1N45DCS RLGTR
TSM1N45DCSRLGCT
TSM1N45DCS RLGDKR-DG
TSM1N45DCS RLGCT-DG
TSM1N45DCS RLGTR-DG
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STS1NK60Z
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
2112
DiGi NUMĂR DE PARTE
STS1NK60Z-DG
PREȚ UNIC
0.28
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
TSM6N60CH C5G
MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO251
PSMN027-100XS,127
MOSFET N-CH 100V 23.4A TO220F
TSM60NB190CM2 RNG
MOSFET N-CH 600V 18A TO263
TSM60NB099CZ C0G
MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO220